לחומר גבישי יחיד מסוג סיליקון קרביד (SiC) יש רוחב פער פס גדול (פי 3~Si), מוליכות תרמית גבוהה (פי 3.3 סי' או פי 10 GaAs), קצב נדידת רוויון אלקטרונים גבוה (פי 2.5~), פירוק חשמלי גבוה. שדה (~Si פי 10 או GaAs פי 5) ומאפיינים בולטים אחרים.
למכשירי SiC יתרונות שאין להם תחליף בתחום של טמפרטורה גבוהה, לחץ גבוה, תדר גבוה, מכשירים אלקטרוניים בעלי הספק גבוה ויישומים סביבתיים קיצוניים כגון תעופה וחלל, צבא, אנרגיה גרעינית וכו', מפצים על הפגמים של התקני חומר מוליכים למחצה המסורתיים. יישומים, והופכים בהדרגה לזרם המרכזי של מוליכים למחצה כוח.
מפרטי מצע 4H-SiC סיליקון קרביד
| פריט项目 | מפרטים参数 | |
| פוליטייפ | 4H -SiC | 6H- SiC |
| קוֹטֶר | 2 אינץ' |3 אינץ' |4 אינץ' |6 אינץ' | 2 אינץ' |3 אינץ' |4 אינץ' |6 אינץ' |
| עוֹבִי | 330 מיקרומטר ~ 350 מיקרומטר | 330 מיקרומטר ~ 350 מיקרומטר |
| מוֹלִיכוּת | N – סוג / חצי בידוד | N – סוג / חצי בידוד |
| דופנט | N2 (חנקן)V (ונדיום) | N2 (חנקן) V (ונדיום) |
| נטייה | על ציר <0001> | על ציר <0001> |
| הִתנַגְדוּת סְגוּלִית | 0.015 ~ 0.03 אוהם-ס"מ | 0.02 ~ 0.1 אוהם-ס"מ |
| Micropipe Density (MPD) | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
| TTV | ≤ 15 מיקרומטר | ≤ 15 מיקרומטר |
| קשת / עיוות | ≤25 מיקרומטר | ≤25 מיקרומטר |
| משטח | DSP/SSP | DSP/SSP |
| כיתה | ציון הפקה / מחקר | ציון הפקה / מחקר |
| רצף ערימת קריסטל | ABCB | ABCABC |
| פרמטר סריג | a=3.076A, c=10.053A | a=3.073A, c=15.117A |
| Eg/eV(Band-gap) | 3.27 eV | 3.02 eV |
| ε (קבוע דיאלקטרי) | 9.6 | 9.66 |
| מדד השבירה | n0 =2.719 ne =2.777 | n0 =2.707, ne =2.755 |
מפרטי מצע 6H-SiC סיליקון קרביד
| פריט项目 | מפרטים参数 |
| פוליטייפ | 6H-SiC |
| קוֹטֶר | 4 אינץ' |6 אינץ' |
| עוֹבִי | 350μm ~ 450μm |
| מוֹלִיכוּת | N – סוג / חצי בידוד |
| דופנט | N2(חנקן) |
| נטייה | <0001> כבוי 4°± 0.5° |
| הִתנַגְדוּת סְגוּלִית | 0.02 ~ 0.1 אוהם-ס"מ |
| Micropipe Density (MPD) | ≤ 10/cm2 |
| TTV | ≤ 15 מיקרומטר |
| קשת / עיוות | ≤25 מיקרומטר |
| משטח | Si Face: CMP, Epi-Ready |
| כיתה | ציון מחקר |
