מצעי GaAs מחולקים למובילים ומבודדים למחצה, הנמצאים בשימוש נרחב בלייזר (LD), דיודה פולטת אור מוליכים למחצה (LED), לייזר קרוב לאינפרא אדום, לייזר קוונטים בעוצמה גבוהה ופאנלים סולאריים בעלי יעילות גבוהה.שבבי HEMT ו-HBT למחשבי מכ"ם, מיקרוגל, גלי מילימטר או מהירות גבוהה במיוחד ותקשורת אופטית;מכשירי תדר רדיו לתקשורת אלחוטית, 4G, 5G, תקשורת לוויינית, WLAN.
לאחרונה, מצעי גליום ארסניד עשו התקדמות רבה גם במיני-LED, Micro-LED ו-LED אדום, והם נמצאים בשימוש נרחב במכשירי AR/VR לבישים.
| קוֹטֶר | 50 מ"מ |75 מ"מ |100 מ"מ |150 מ"מ |
| שיטת צמיחה | LEC液封直拉法 |
| עובי רקיק | 350 אום ~ 625 אום |
| נטייה | <100> / <111> / <110> או אחרים |
| סוג מוליך | P – סוג / N – סוג / חצי בידוד |
| סוג/דופנט | Zn / Si / לא מסומן |
| ריכוז הספקים | 1E17 ~ 5E19 ס"מ-3 |
| התנגדות ב-RT | ≥1E7 עבור SI |
| ניידות | ≥4000 |
| EPD (צפיפות בור תחריט) | 100~1E5 |
| TTV | ≤ 10 אום |
| קשת / עיוות | ≤ 20 אום |
| גימור פני השטח | DSP/SSP |
| לייזר מארק |
|
| כיתה | כיתה אפי מלוטשת / כיתה מכנית |
