תיאור
החברה שלנו מספקתציפוי SiCעיבוד שירותי על פני השטח של גרפיט, קרמיקה וחומרים אחרים בשיטת CVD, כך שגזים מיוחדים המכילים פחמן וסיליקון יכולים להגיב בטמפרטורה גבוהה כדי להשיג מולקולות Sic בטוהר גבוה, שניתן להפקיד על פני השטח של חומרים מצופים ליצירתשכבת מגן SiCעבור חבית epitaxy hy pnotic.
תכונות עיקריות
1. עמידות חמצון בטמפרטורה גבוהה:
עמידות החמצון עדיין טובה מאוד כאשר הטמפרטורה גבוהה עד 1600 C.
2. טוהר גבוה: נעשה על ידי שקיעת אדים כימית בתנאי הכלרה בטמפרטורה גבוהה.
3. עמידות בשחיקה: קשיות גבוהה, משטח קומפקטי, חלקיקים עדינים.
4. עמידות בפני קורוזיה: חומצה, אלקלי, מלח וריאגנטים אורגניים.
מפרט עיקרי של ציפוי CVD-SIC
| מאפייני SiC-CVD | ||
| מבנה קריסטל | שלב β של FCC | |
| צְפִיפוּת | g/cm ³ | 3.21 |
| קַשִׁיוּת | קשיות ויקרס | 2500 |
| גודל גרגר | מיקרומטר | 2~10 |
| טוהר כימי | % | 99.99995 |
| קיבולת חום | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| טמפרטורת סובלימציה | ℃ | 2700 |
| חוזק פלקסואלי | MPa (RT 4 נקודות) | 415 |
| המודולוס של יאנג | GPA (עיקול 4 נקודות, 1300℃) | 430 |
| התרחבות תרמית (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| מוליכות תרמית | (W/mK) | 300 |
