תֵאוּר
קולטי בסיס גרפיט מצופה SiCעבור MOCVD מ-semicera מתוכננים לספק ביצועים יוצאי דופן בתהליכי צמיחה אפיטקסיאליים. ציפוי הסיליקון קרביד האיכותי על בסיס הגרפיט מבטיח יציבות, עמידות ומוליכות תרמית אופטימלית במהלך פעולות MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition). על ידי שימוש בטכנולוגיית המושכים החדשנית של semicera, אתה יכול להשיג דיוק ויעילות משופרים בSi EpitaxyוSiC Epitaxyיישומים.
אֵלֶהקולטי MOCVDנועדו לתמוך במגוון רכיבי מוליכים למחצה חיוניים, כגוןמנשא PSS תחריט, מנשא תחריט ICP, וספק RTP, מה שהופך אותם למגוון עבור משימות תחריט ואפיטקסיות שונות. המחויבות של Semicera לסטנדרטים גבוהים מבטיחה שקולטים אלו עומדים בדרישות הקפדניות של ייצור מוליכים למחצה מודרניים.
אידיאלי לשימוש בLED Epitaxialתהליכי סוסceptor, Barrel Susceptor וסיליקון מונו-גבישי, ניתן להתאים אישית את המרשמים הללו לגדלים שונים של פרוסות, כולל תצורות של פנקייק סופרים. הם גם יעילים מאוד בטיפול בחלקים פוטו-וולטאיים, מה שהופך אותם למרכיב חיוני בפיתוח תאים סולאריים יעילים.
בנוסף, קולטי בסיס גרפיט מצופים SiC ל-MOCVD מותאמים ל-GaN ב-SiC Epitaxy, ומציעים תאימות גבוהה לחומרי מוליכים למחצה מתקדמים. בין אם אתם מתמקדים בשיפור התשואות או בשיפור איכות הצמיחה האפיטקסיאלית, ה-sceptors של semicera מספקים את האמינות והביצועים הדרושים להצלחה בתעשיות היי-טק.
תכונות עיקריות
1. גרפיט מצופה SiC בטוהר גבוה
2. עמידות בחום מעולה ואחידות תרמית
3. בסדרמצופה קריסטל SiCלמשטח חלק
4. עמידות גבוהה נגד ניקוי כימי
מפרטים עיקריים של ציפוי CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| צְפִיפוּת | (g/cc) | 3.21 |
| חוזק כפיפה | (Mpa) | 470 |
| התפשטות תרמית | (10-6/K) | 4 |
| מוליכות תרמית | (W/mK) | 300 |
אריזה ומשלוח
יכולת אספקה:
10000 חתיכות/חתיכות לחודש
אריזה ומשלוח:
אריזה: אריזה רגילה וחזקה
שקית פולי + קופסה + קרטון + מזרן
נָמָל:
נינגבו/שנג'ן/שנגחאי
זמן אספקה:
| כמות (חתיכות) | 1-1000 | >1000 |
| הערכה זמן (ימים) | 30 | יש לנהל משא ומתן |
