כאחד ממרכיבי הליבה שלציוד MOCVD, בסיס גרפיט הוא הנשא והגוף המחמם של המצע, אשר קובע ישירות את האחידות והטוהר של חומר הסרט, כך שאיכותו משפיעה ישירות על הכנת הסדין האפיטקסיאלי, ובמקביל, עם הגדלת מספר שימושים ושינוי תנאי העבודה, קל מאוד ללבוש, שייך לחומרים המתכלים.
למרות שלגרפיט מוליכות ויציבות תרמית מצוינים, יש לו יתרון טוב כמרכיב בסיס שלציוד MOCVD, אך בתהליך הייצור, הגרפיט יחליד את האבקה עקב שאריות גזים קורוזיביים ואורגניים מתכתיים, וחיי השירות של בסיס הגרפיט יצטמצמו מאוד.יחד עם זאת, אבקת הגרפיט הנופלת תגרום לזיהום השבב.
הופעתה של טכנולוגיית הציפוי יכולה לספק קיבוע אבקת פני השטח, לשפר מוליכות תרמית ולהשוות את חלוקת החום, שהפכה לטכנולוגיה העיקרית לפתור בעיה זו.בסיס גרפיט פנימהציוד MOCVDסביבת שימוש, ציפוי משטח בסיס גרפיט צריך לעמוד במאפיינים הבאים:
(1) ניתן לעטוף את בסיס הגרפיט במלואו, והצפיפות טובה, אחרת קל להחליד את בסיס הגרפיט בגז המאכל.
(2) חוזק השילוב עם בסיס הגרפיט גבוה כדי להבטיח שהציפוי לא קל ליפול לאחר מספר מחזורי טמפרטורה גבוהה וטמפרטורה נמוכה.
(3) יש לו יציבות כימית טובה כדי למנוע כשל ציפוי בטמפרטורה גבוהה ואווירה קורוזיבית.
ל-SiC יש את היתרונות של עמידות בפני קורוזיה, מוליכות תרמית גבוהה, עמידות בפני זעזועים תרמיים ויציבות כימית גבוהה, והוא יכול לעבוד היטב באווירה אפיטקסיאלית GaN.בנוסף, מקדם ההתפשטות התרמית של SiC שונה מעט מאוד מזה של גרפיט, ולכן SiC הוא החומר המועדף לציפוי פני השטח של בסיס גרפיט.
כיום, ה-SiC הנפוץ הוא בעיקר מסוג 3C, 4H ו-6H, והשימושים ב-SiC של סוגי גבישים שונים שונים.לדוגמה, 4H-SiC יכול לייצר מכשירים בעלי הספק גבוה;6H-SiC הוא היציב ביותר ויכול לייצר מכשירים פוטו-אלקטריים;בגלל המבנה הדומה ל-GaN, ניתן להשתמש ב-3C-SiC לייצור שכבה אפיטקסיאלית GaN וייצור התקני RF של SiC-GaN.3C-SiC ידוע גם בשםβ-SiC, ושימוש חשוב בβ-SiC הוא כסרט וחומר ציפוי, אזβ-SiC הוא כיום החומר העיקרי לציפוי.
זמן פרסום: נובמבר-06-2023