החברה שלנו מספקתציפוי SiCעיבוד שירותי על פני השטח של גרפיט, קרמיקה וחומרים אחרים בשיטת CVD, כך שגזים מיוחדים המכילים פחמן וסיליקון יכולים להגיב בטמפרטורה גבוהה כדי להשיג מולקולות Sic בטוהר גבוה, שניתן להפקיד על פני השטח של חומרים מצופים ליצירתשכבת מגן SiCעבור חבית epitaxy hy pnotic.
תכונות עיקריות:
1. גרפיט מצופה SiC בטוהר גבוה
2. עמידות בחום מעולה ואחידות תרמית
3. בסדרמצופה קריסטל SiCלמשטח חלק
4. עמידות גבוהה נגד ניקוי כימי
מפרטים עיקריים שלציפוי CVD-SIC
| מאפייני SiC-CVD | ||
| מבנה קריסטל | שלב β של FCC | |
| צְפִיפוּת | g/cm ³ | 3.21 |
| קַשִׁיוּת | קשיות ויקרס | 2500 |
| גודל גרגר | מיקרומטר | 2~10 |
| טוהר כימי | % | 99.99995 |
| קיבולת חום | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| טמפרטורת סובלימציה | ℃ | 2700 |
| חוזק פלקסואלי | MPa (RT 4 נקודות) | 415 |
| המודולוס של יאנג | GPA (עיקול 4 נקודות, 1300℃) | 430 |
| התרחבות תרמית (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| מוליכות תרמית | (W/mK) | 300 |
