ה-LiNbO3 Bonding Wafer בגודל 6 אינץ' של Semicera מתוכננת לעמוד בסטנדרטים המחמירים של תעשיית המוליכים למחצה, ומספקת ביצועים ללא תחרות הן בסביבות מחקר והן בסביבות ייצור. בין אם מדובר ב-high-end אופטו-אלקטרוניקה, MEMS או אריזות מוליכים למחצה מתקדמים, רקיק מליטה זה מציע את האמינות והעמידות הדרושים לפיתוח טכנולוגיה חדשנית.
בתעשיית המוליכים למחצה, ה-LiNbO3 Bonding Wafer בגודל 6 אינץ' נמצא בשימוש נרחב להדבקת שכבות דקות בהתקנים אופטו-אלקטרוניים, חיישנים ומערכות מיקרו-אלקטרו-מכניות (MEMS). המאפיינים יוצאי הדופן שלו הופכים אותו לרכיב בעל ערך עבור יישומים הדורשים אינטגרציה מדויקת של שכבות, כגון בייצור של מעגלים משולבים (ICs) והתקנים פוטוניים. הטוהר הגבוה של הפרוסה מבטיח שהמוצר הסופי שומר על ביצועים אופטימליים, וממזער את הסיכון לזיהום שעלול להשפיע על אמינות המכשיר.
| תכונות תרמיות וחשמליות של LiNbO3 | |
| נקודת התכה | 1250 ℃ |
| טמפרטורת קירי | 1140 ℃ |
| מוליכות תרמית | 38 W/m/K @ 25 ℃ |
| מקדם התפשטות תרמית (@25°C) | //a，2.0×10-6/K //c，2.2×10-6/K |
| הִתנַגְדוּת סְגוּלִית | 2×10-6Ω·cm @ 200 ℃ |
| קבוע דיאלקטרי | εS11/ε0=43，εT11/ε0=78 εS33/ε0=28，εT33/ε0= 2 |
| קבוע פיזואלקטרי | D22=2.04×10-11C/N D33=19.22×10-11C/N |
| מקדם אלקטרו-אופטי | γT33=32 pm/V， γS33=31 אחר הצהריים/V, γT31=10 pm/V， γS31= 8.6 אחה"צ/V, γT22=6.8 pm/V， γS22= 15:00/V, |
| מתח חצי גל, DC | 3.03 KV 4.02 KV |
ה-LiNbO3 Bonding Wafer בגודל 6 אינץ' מבית Semicera תוכנן במיוחד עבור יישומים מתקדמים בתעשיות המוליכים למחצה והאופטואלקטרוניקה. הידוע בעמידות הבלאי המעולה שלו, היציבות התרמית הגבוהה והטוהר יוצא הדופן, רקיק מליטה זה הוא אידיאלי לייצור מוליכים למחצה בעל ביצועים גבוהים, ומציע אמינות ודיוק לאורך זמן גם בתנאים תובעניים.
עוצב עם טכנולוגיה חדשנית, ה-LiNbO3 Bonding Wafer בגודל 6 אינץ' מבטיח זיהום מינימלי, שהוא חיוני לתהליכי ייצור מוליכים למחצה הדורשים רמות גבוהות של טוהר. היציבות התרמית המעולה שלו מאפשרת לו לעמוד בטמפרטורות גבוהות מבלי לפגוע בשלמות המבנית, מה שהופך אותו לבחירה אמינה ליישומי הדבקה בטמפרטורה גבוהה. בנוסף, עמידות הבלאי יוצאת הדופן של הוופל מבטיחה ביצועים עקביים לאורך שימוש ממושך, מספקת עמידות לטווח ארוך ומפחיתה את הצורך בהחלפות תכופות.
