תֵאוּר
קולטי ה-SiC Wafer של Semicorex עבור MOCVD (מטאל-אורגני כימי אדי Deposition) מתוכננים לענות על הדרישות המדויקות של תהליכי השקיעה אפיטקסיאלית. תוך שימוש בסיליקון קרביד (SiC) באיכות גבוהה, סופגים אלו מציעים עמידות וביצועים ללא תחרות בסביבות טמפרטורה גבוהות וקורוזיביות, מה שמבטיח צמיחה מדויקת ויעילה של חומרים מוליכים למחצה.
תכונות עיקריות:
1. תכונות חומר מעולהבנויים מ-SiC בדרגה גבוהה, קולטי הפרוסים שלנו מציגים מוליכות תרמית יוצאת דופן ועמידות כימית. תכונות אלו מאפשרות להם לעמוד בתנאים הקיצוניים של תהליכי MOCVD, כולל טמפרטורות גבוהות וגזים קורוזיביים, מה שמבטיח אריכות ימים וביצועים אמינים.
2. דיוק בתצהיר אפיטקסיאליההנדסה המדויקת של קולטי ה- SiC Wafer שלנו מבטיחה פיזור טמפרטורה אחיד על פני השטח, ומאפשרת צמיחת שכבה אפיטקסיאלית עקבית ואיכותית. דיוק זה הוא קריטי לייצור מוליכים למחצה בעלי תכונות חשמליות אופטימליות.
3. עמידות משופרתחומר ה- SiC החזק מספק עמידות מצוינת בפני שחיקה והתכלות, אפילו בחשיפה מתמשכת לסביבות תהליך קשות. עמידות זו מפחיתה את תדירות ההחלפות המושכות, ומצמצמת את זמני ההשבתה ועלויות התפעול.
יישומים:
קולטי ה-SiC Wafer עבור MOCVD של Semicorex מתאימים באופן אידיאלי עבור:
• צמיחה אפיטקסיאלית של חומרים מוליכים למחצה
• תהליכי MOCVD בטמפרטורה גבוהה
• ייצור של GaN, AlN ושאר מוליכים למחצה מורכבים
• יישומי ייצור מוליכים למחצה מתקדמים
מפרטים עיקריים של ציפוי CVD-SIC:
הטבות:
•דיוק גבוה: מבטיח צמיחה אפיטקסיאלית אחידה ואיכותית.
•ביצועים לאורך זמן: עמידות יוצאת דופן מפחיתה את תדירות ההחלפה.
• עלות-יעילות: ממזער עלויות תפעול באמצעות צמצום זמן השבתה ותחזוקה.
•רבגוניות: ניתן להתאמה אישית כדי להתאים לדרישות תהליך MOCVD שונות.
