-
תהליך הכנת גביש זרעים בצמיחת גביש בודד של SiC (חלק 2)
2. תהליך ניסיוני 2.1 אשפרה של סרט דבק נצפה כי יצירת סרט פחמן או הדבקה ישירה עם נייר גרפיט על פרוסות SiC מצופים בדבק הובילה למספר בעיות: 1. בתנאי ואקום, הסרט הדבק על פרוסות SiC פיתח מראה דמוי אבנית עקב לחתום...קרא עוד -
תהליך הכנת גביש זרעים בגידול גביש יחיד של SiC
לחומר סיליקון קרביד (SiC) יש את היתרונות של מרווח פס רחב, מוליכות תרמית גבוהה, חוזק שדה פירוק קריטי גבוה ומהירות סחיפה גבוהה של אלקטרונים רוויים, מה שהופך אותו למבטיח מאוד בתחום ייצור המוליכים למחצה. גבישי SiC בודדים מיוצרים בדרך כלל באמצעות...קרא עוד -
מהן השיטות לליטוש ופל?
מבין כל התהליכים הכרוכים ביצירת שבב, הגורל הסופי של הפרוסה הוא לחתוך לקוביות בודדות ולארוז בקופסאות קטנות וסגורות עם רק כמה סיכות חשופות. השבב יוערך על סמך ערכי הסף, ההתנגדות, הזרם והמתח שלו, אבל אף אחד לא ישקול...קרא עוד -
המבוא הבסיסי של תהליך הצמיחה האפיטקסיאלי של SiC
שכבה אפיטקסיאלית היא סרט גביש יחיד ספציפי שגדל על הפרוסה בתהליך אפיטקסיאלי, ופלסת המצע והסרט האפיטקסיאלי נקראים רקיק אפיטקסיאלי. על ידי גידול השכבה האפיטקסיאלית של סיליקון קרביד על מצע הסיליקון קרביד המוליך, האפיטקסיאלית ההומוגנית של סיליקון קרביד...קרא עוד -
נקודות מפתח של בקרת איכות תהליך אריזת מוליכים למחצה
נקודות מפתח לבקרת איכות בתהליך האריזה של מוליכים למחצה. עם זאת, מנקודת מבט כוללת, התהליכים והשיטות לאריזת מוליכים למחצה עדיין לא הגיעו למושלמים ביותר...קרא עוד -
אתגרים בתהליך אריזת מוליכים למחצה
הטכניקות הנוכחיות לאריזות מוליכים למחצה משתפרות בהדרגה, אך המידה שבה ציוד וטכנולוגיות אוטומטיות מאומצות באריזת מוליכים למחצה קובעת ישירות את מימוש התוצאות הצפויות. תהליכי האריזה הקיימים מוליכים למחצה עדיין סובלים מ...קרא עוד -
מחקר וניתוח של תהליך אריזת מוליכים למחצה
סקירה כללית של תהליך מוליכים למחצה תהליך המוליכים למחצה כולל בעיקר יישום טכנולוגיות מיקרו ייצור וסרטים לחיבור מלא של שבבים ואלמנטים אחרים באזורים שונים, כגון מצעים ומסגרות. זה מקל על החילוץ של מסופי עופרת ועטיפה עם...קרא עוד -
מגמות חדשות בתעשיית המוליכים למחצה: היישום של טכנולוגיית ציפוי מגן
תעשיית המוליכים למחצה עדה לצמיחה חסרת תקדים, במיוחד בתחום האלקטרוניקה של סיליקון קרביד (SiC). עם יצירות פרוסות רבות בקנה מידה גדול שעוברות בנייה או הרחבה כדי לענות על הביקוש הגואה להתקני SiC בכלי רכב חשמליים, זה ...קרא עוד -
מהם השלבים העיקריים בעיבוד מצעי SiC?
כיצד אנו מייצרים שלבי עיבוד עבור מצעי SiC הם כדלקמן: 1. כיוון קריסטל: שימוש בדיפרקציה של קרני רנטגן כדי לכוון את מטיל הגביש. כאשר קרן רנטגן מכוונת אל פני הגביש הרצוי, זווית הקרן המפוזרת קובעת את כיוון הגביש...קרא עוד -
חומר חשוב הקובע את איכות צמיחת סיליקון גביש יחיד – שדה תרמי
תהליך הצמיחה של סיליקון גביש יחיד מתבצע לחלוטין בשדה התרמי. שדה תרמי טוב תורם לשיפור איכות הגביש ובעל יעילות התגבשות גבוהה. עיצוב השדה התרמי קובע במידה רבה את השינויים והשינויים...קרא עוד -
מהי צמיחה אפיטקסיאלית?
גדילה אפיטקסיאלית היא טכנולוגיה המצמיחת שכבת גביש בודדת על מצע גבישי בודד (סובסטרט) עם כיוון גביש זהה למצע, כאילו הגביש המקורי התרחב החוצה. שכבת גביש יחיד זו שגדלה לאחרונה יכולה להיות שונה מהמצע במונחים של ...קרא עוד -
מה ההבדל בין מצע לאפיטקסיה?
בתהליך הכנת פרוסות, ישנם שני חולי ליבה: האחד הוא הכנת המצע, והשני הוא יישום התהליך האפיטקסיאלי. את המצע, רקיק עשוי בקפידה מחומר גבישי חד-למחצה, ניתן להכניס ישירות לייצור פרוסות...קרא עוד