-
מהו טנטלום קרביד?
טנטלום קרביד (TaC) הוא תרכובת בינארית של טנטלום ופחמן עם הנוסחה הכימית TaC x, כאשר x בדרך כלל משתנה בין 0.4 ל-1. הם חומרים קרמיים קשים במיוחד, שבירים, עקשן עם מוליכות מתכתית. הן אבקות חומות-אפורות והאם אנחנו...קרא עוד -
מהו טנטלום קרביד
טנטלום קרביד (TaC) הוא חומר קרמי בטמפרטורה גבוהה במיוחד עם עמידות בטמפרטורה גבוהה, צפיפות גבוהה, קומפקטיות גבוהה; טוהר גבוה, תכולת טומאה <5PPM; ואינריות כימית לאמוניה ומימן בטמפרטורות גבוהות, ויציבות תרמית טובה. מה שנקרא אולטרה-גבוה...קרא עוד -
מהי אפיטקסיה?
רוב המהנדסים אינם מכירים את האפיטקסיה, אשר ממלאת תפקיד חשוב בייצור התקני מוליכים למחצה. ניתן להשתמש באפיטקסיה במוצרי שבבים שונים, ולמוצרים שונים יש סוגים שונים של אפיטקסיה, כולל אפיטקסיה Si, אפיטקסיה SiC, אפיטקסיה GaN וכו'. מהי אפיטקסיה? אפיטקסיה היא...קרא עוד -
מהם הפרמטרים החשובים של SiC?
סיליקון קרביד (SiC) הוא חומר מוליך למחצה רחב פס רחב חשוב בשימוש נרחב במכשירים אלקטרוניים בעלי הספק גבוה ותדר גבוה. להלן כמה פרמטרים מרכזיים של פרוסות סיליקון קרביד וההסברים המפורטים שלהם: פרמטרי סריג: ודא כי ...קרא עוד -
מדוע צריך לגלגל סיליקון גביש יחיד?
גלגול מתייחס לתהליך של טחינת הקוטר החיצוני של מוט גביש יחיד מסיליקון למוט גבישי בודד בקוטר הנדרש באמצעות גלגל שיוף יהלום, וטחינת משטח ייחוס קצה שטוח או חריץ מיקום של מוט הגביש היחיד. משטח הקוטר החיצוני...קרא עוד -
תהליכים לייצור אבקות SiC באיכות גבוהה
סיליקון קרביד (SiC) הוא תרכובת אנאורגנית הידועה בתכונותיה יוצאות הדופן. SiC המופיע באופן טבעי, המכונה moissanite, הוא נדיר למדי. ביישומים תעשייתיים, סיליקון קרביד מיוצר בעיקר בשיטות סינתטיות. ב-Semicera Semiconductor, אנו ממנפים טכניקה מתקדמת...קרא עוד -
שליטה באחידות ההתנגדות הרדיאלית במהלך משיכת גבישים
הסיבות העיקריות המשפיעות על אחידות ההתנגדות הרדיאלית של גבישים בודדים הן השטיחות של ממשק מוצק-נוזל והשפעת המישור הקטן במהלך צמיחת גבישים השפעת השטיחות של ממשק מוצק-נוזל במהלך צמיחת גבישים, אם מערבבים את ההמסה באופן שווה. , ה...קרא עוד -
מדוע שדה מגנטי יכול לשפר את האיכות של גביש יחיד
מכיוון שכור היתוך משמש כמיכל ויש הסעה בפנים, ככל שגודל הגביש היחיד שנוצר גדל, הסעת החום ואחידות שיפוע הטמפרטורה הופכות לקשות יותר לשליטה. על ידי הוספת שדה מגנטי כדי לגרום להיתוך המוליך לפעול על כוח לורנץ, הסעה יכולה להיות...קרא עוד -
צמיחה מהירה של גבישי SiC בודדים באמצעות מקור CVD-SiC בתפזורת בשיטת סובלימציה
צמיחה מהירה של גביש בודד של SiC באמצעות מקור בכמות גדולה של CVD-SiC באמצעות שיטת סובלימציה על ידי שימוש בלוקים ממוחזרים של CVD-SiC כמקור SiC, גבישי SiC גדלו בהצלחה בקצב של 1.46 מ"מ לשעה באמצעות שיטת PVT. צפיפות המיקרו-צינור וצפיפות הנקע של הגביש הגדל מצביעים על כך ש...קרא עוד -
תוכן אופטימלי ומתורגם על ציוד לגידול אפיטקסיאלי של סיליקון קרביד
למצעי סיליקון קרביד (SiC) יש פגמים רבים המונעים עיבוד ישיר. כדי ליצור פרוסות שבבים, יש לגדל סרט חד-גביש ספציפי על מצע ה- SiC באמצעות תהליך אפיטקסיאלי. סרט זה ידוע בשם השכבה האפיטקסיאלית. כמעט כל מכשירי ה-SiC ממומשים על אפיטקסיאל...קרא עוד -
התפקיד המכריע ומקרי היישום של קולטי גרפיט מצופים SiC בייצור מוליכים למחצה
Semicera Semiconductor מתכננת להגדיל את הייצור של רכיבי ליבה עבור ציוד לייצור מוליכים למחצה ברחבי העולם. עד 2027, אנו שואפים להקים מפעל חדש בשטח של 20,000 מ"ר בהשקעה כוללת של 70 מיליון דולר. אחד ממרכיבי הליבה שלנו, נשא פרוסות סיליקון קרביד (SiC)...קרא עוד -
למה אנחנו צריכים לעשות אפיטקסיה על מצעי פרוסות סיליקון?
בשרשרת תעשיית המוליכים למחצה, במיוחד בשרשרת תעשיית המוליכים למחצה מהדור השלישי (מוליכים למחצה רחבים), קיימים מצעים ושכבות אפיטקסיאליות. מהי המשמעות של השכבה האפיטקסיאלית? מה ההבדל בין המצע למצע? המשנה...קרא עוד