תֵאוּר
ה-MOCVD Susceptor for Epitaxial Growth מאת semicera, פתרון מוביל שנועד לייעל את תהליך הצמיחה האפיטקסיאלי עבור יישומי מוליכים למחצה מתקדמים. ה-MOCVD Susceptor של Semicera מבטיח שליטה מדויקת על הטמפרטורה והשקעת החומר, מה שהופך אותו לבחירה האידיאלית להשגת Si Epitaxy ו- SiC Epitaxy באיכות גבוהה. המבנה החזק והמוליכות התרמית הגבוהה שלו מאפשרים ביצועים עקביים בסביבות תובעניות, ומבטיחים את האמינות הנדרשת למערכות גידול אפיטקסיאליות.
ה-MOCVD Susceptor הזה תואם ליישומים אפיטקסיאליים שונים, כולל ייצור של סיליקון מונו-גבישי וצמיחת GaN על SiC Epitaxy, מה שהופך אותו למרכיב חיוני עבור יצרנים המחפשים תוצאות ברמה הגבוהה ביותר. בנוסף, זה עובד בצורה חלקה עם מערכות PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier ו-RTP Carrier, ומשפר את יעילות התהליך והתפוקה. הקולט מתאים גם ליישומי LED Epitaxial Susceptor ותהליכי ייצור מוליכים למחצה מתקדמים אחרים.
עם העיצוב הרב-תכליתי שלו, ניתן להתאים את ה-MOCVD susceptor של semicera לשימוש ב-Pancake Susceptors ו-Barrel Susceptors, ומציע גמישות בהגדרות ייצור שונות. השילוב של חלקים פוטו-וולטאיים מרחיב עוד יותר את היישום שלו, מה שהופך אותו לאידיאלי עבור תעשיות מוליכים למחצה וסולאריות כאחד. פתרון בעל ביצועים גבוהים זה מספק יציבות תרמית מצוינת ועמידות, ומבטיח יעילות ארוכת טווח בתהליכי צמיחה אפיטקסיאליים.
תכונות עיקריות
1. גרפיט מצופה SiC בטוהר גבוה
2. עמידות בחום מעולה ואחידות תרמית
3. גביש SiC עדין מצופה למשטח חלק
4. עמידות גבוהה נגד ניקוי כימי
מפרטים עיקריים של ציפוי CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| צְפִיפוּת | (g/cc) | 3.21 |
| חוזק כפיפה | (Mpa) | 470 |
| התפשטות תרמית | (10-6/K) | 4 |
| מוליכות תרמית | (W/mK) | 300 |
אריזה ומשלוח
יכולת אספקה:
10000 חתיכות/חתיכות לחודש
אריזה ומשלוח:
אריזה: אריזה רגילה וחזקה
שקית פולי + קופסה + קרטון + מזרן
נָמָל:
נינגבו/שנג'ן/שנגחאי
זמן אספקה:
| כמות (חתיכות) | 1 - 1000 | >1000 |
| הערכה זמן (ימים) | 30 | יש לנהל משא ומתן |
