ה-LiNbO3 Bonding Wafer של Semicera תוכנן לענות על הדרישות הגבוהות של ייצור מוליכים למחצה מתקדמים. עם תכונותיו יוצאות הדופן, לרבות עמידות מעולה בפני שחיקה, יציבות תרמית גבוהה וטוהר יוצא מן הכלל, פרוסית זו היא אידיאלית לשימוש ביישומים הדורשים דיוק וביצועים לאורך זמן.
בתעשיית המוליכים למחצה, LiNbO3 Bonding Wafers משמשים בדרך כלל לחיבור שכבות דקות במכשירים אופטואלקטרוניים, חיישנים ו-ICs מתקדמים. הם מוערכים במיוחד בפוטוניקה וב-MEMS (מערכות מיקרו-אלקטרומכניות) בשל התכונות הדיאלקטריות המצוינות והיכולת שלהם לעמוד בתנאי פעולה קשים. ה-LiNbO3 Bonding Wafer של Semicera תוכנן לתמוך בהדבקת שכבות מדויקת, תוך שיפור הביצועים והאמינות הכוללים של התקני מוליכים למחצה.
| תכונות תרמיות וחשמליות של LiNbO3 | |
| נקודת התכה | 1250 ℃ |
| טמפרטורת קירי | 1140 ℃ |
| מוליכות תרמית | 38 W/m/K @ 25 ℃ |
| מקדם התפשטות תרמית (@25°C) | //a，2.0×10-6/K //c，2.2×10-6/K |
| הִתנַגְדוּת סְגוּלִית | 2×10-6Ω·cm @ 200 ℃ |
| קבוע דיאלקטרי | εS11/ε0=43，εT11/ε0=78 εS33/ε0=28，εT33/ε0= 2 |
| קבוע פיזואלקטרי | D22=2.04×10-11C/N D33=19.22×10-11C/N |
| מקדם אלקטרו-אופטי | γT33=32 pm/V， γS33=31 אחר הצהריים/V, γT31=10 pm/V， γS31= 8.6 אחה"צ/V, γT22=6.8 pm/V， γS22= 15:00/V, |
| מתח חצי גל, DC | 3.03 KV 4.02 KV |
ה-LiNbO3 Bonding Wafer, שיוצר באמצעות חומרים איכותיים ביותר, מבטיח אמינות עקבית גם בתנאים קיצוניים. היציבות התרמית הגבוהה שלו הופכת אותו למתאים במיוחד לסביבות הכרוכות בטמפרטורות גבוהות, כמו אלו שנמצאות בתהליכי אפיטקסיה של מוליכים למחצה. בנוסף, הטוהר הגבוה של הוופל מבטיח זיהום מינימלי, מה שהופך אותו לבחירה מהימנה עבור יישומי מוליכים למחצה קריטיים.
ב-Semicera, אנו מחויבים לספק פתרונות מובילים בתעשייה. ה-LiNbO3 Bonding Wafer שלנו מספק עמידות ללא תחרות ויכולות ביצועים גבוהים עבור יישומים הדורשים טוהר גבוה, עמידות בפני שחיקה ויציבות תרמית. בין אם לייצור מוליכים למחצה מתקדמים או טכנולוגיות מיוחדות אחרות, רקיק זה משמש מרכיב חיוני לייצור מכשירים מתקדמים.
