תיאור המוצר
חברתנו מספקת שירותי ציפוי SiC בשיטת CVD על פני השטח של גרפיט, קרמיקה וחומרים אחרים, כך שגזים מיוחדים המכילים פחמן וסיליקון מגיבים בטמפרטורה גבוהה לקבלת מולקולות SiC בטוהר גבוה, מולקולות המופקדות על פני החומרים המצופים, יצירת שכבת מגן SIC.
מאפיינים עיקריים:
1. עמידות חמצון בטמפרטורה גבוהה:
עמידות החמצון עדיין טובה מאוד כאשר הטמפרטורה גבוהה עד 1600 C.
2. טוהר גבוה: נעשה על ידי שקיעת אדים כימית בתנאי הכלרה בטמפרטורה גבוהה.
3. עמידות בשחיקה: קשיות גבוהה, משטח קומפקטי, חלקיקים עדינים.
4. עמידות בפני קורוזיה: חומצה, אלקלי, מלח וריאגנטים אורגניים.
1111111斯蒂芬森
111111111111111111
111111111111111111
111111111111111111
111111111111111111
מפרט עיקרי של ציפוי CVD-SIC
| מאפייני SiC-CVD | ||
| מבנה קריסטל | שלב β של FCC | |
| צְפִיפוּת | g/cm ³ | 3.21 |
| קַשִׁיוּת | קשיות ויקרס | 2500 |
| גודל גרגר | מיקרומטר | 2~10 |
| טוהר כימי | % | 99.99995 |
| קיבולת חום | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| טמפרטורת סובלימציה | ℃ | 2700 |
| חוזק פלקסואלי | MPa (RT 4 נקודות) | 415 |
| המודולוס של יאנג | GPA (עיקול 4 נקודות, 1300℃) | 430 |
| התרחבות תרמית (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| מוליכות תרמית | (W/mK) | 300 |
